缺陷
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缺陷功率因子及全温区热电优值显著提升（Science Bulletin，原位该策略利用外加过渡金属与基体阴离子原位反应生成高活性镁，提升实现镁空位缺陷的进展原位修复，n型陷原性能₂热电材提升复与镁空料中展位缺位修 进
2026,型修复性 71, 1043–1054）。、₃SbBi₂分子动力学模拟及实验研究与多尺度表征，热电提出一种“局域反应 全局扩散”策略，材料再经全局扩散自发填充基体晶格内与晶界处的中镁镁空位，实现了材料载流子迁移率、空位缺陷缺陷缺陷缺陷缺陷
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